温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

HPESD5V0F1BSF

双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：4A@8/20us

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 此款静电和浪涌保护器件（TVS/ESD）设计用于提供高效的瞬态电压抑制，确保电子设备在面对电压突变时的安全。它具备4.5A的峰值脉冲电流容量IPP，能够迅速响应并吸收过量电流，保护电路免受损害。最大反向工作电压VRWM为5V，适合低电压应用场合。该器件拥有0.25pF的小电容CJ，几乎不影响信号完整性，特别适用于高速数据传输线路的保护。作为1通道、Bi双向类型的产品，它可以处理双向电压波动，保障消费电子产品内部连接或通讯接口的数据传输稳定性和安全性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HPESD5V0F1BSF
商品编号: C22440374
商品封装: DFN0603-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.004467克(g)

商品参数

HPESD5V0F1BSF器件可保护敏感半导体组件免受静电放电及其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或干扰。其出色的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间为暴露于静电放电的设计提供了同类防护。该器件为设计者提供了灵活性，可在不适用阵列的应用中保护一条双向线路。