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HCESD1006NC12VB

双向ESD 12V截止峰值浪涌电流：5A

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描述: 这款双向ESD静电保护二极管，专为单通道电路定制，耐压12V，峰值电流承载力为5A，为电子系统筑起坚实的静电防御线。尽管拥有10pF电容值，但在适当的应用场景下，仍能有效平衡保护需求与信号传输效率，是强化设备静电抵抗力、维护电路安全的精选组件。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HCESD1006NC12VB
商品编号: C22439846
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0057克(g)

商品参数

商品概述

HCESD1006NC12VB可保护敏感半导体组件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或出现故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条双向线路。封装形式为DFN1006 - 2L。

商品特性

高速数据线的瞬态保护
IEC 61000 - 4 - 2（ESD）±20kV（接触）
±25kV（空气）
IEC 61000 - 4 - 4（EFT）40A（5/50 ns）
峰值功率耗散：150W（8/20μs）
工作电压：12V
超小封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
保护一条I/O线路
低钳位电压
低泄漏电流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	12V
	钳位电压	26V
	峰值脉冲电流(Ipp)	5A
	峰值脉冲功率(Ppp)	150W@8/20us

	属性	参数值
	击穿电压(VBR)	13.3V
	反向电流(Ir)	200nA
	通道数	单路
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	10pF