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G9N40F-A
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 这是一种高压功率MOSFET，旨在具有更好的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。这种功率MOSFET通常用于电源和适配器的高速开关应用中。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G9N40F-A
- 商品编号
- C22362803
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.936克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 134W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 893pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 116pF |