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9N90
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- 9N90
- 商品编号
- C22362813
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.668nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 157pF |
商品概述
GT88N06T采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS：60V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = 10V时）：80A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 10V时）：< 9mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关电源（SMPS）或LED驱动器中的同步整流
- 不间断电源（UPS）
- 电机控制
- 电池管理系统（BMS）
- 高频电路