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11N10实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

11N10

耐压:100V 电流:110A

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描述
11N10采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用。
品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
11N10
商品编号
C22362825
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.706克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)110A
导通电阻(RDS(on))9mΩ@10V
耗散功率(Pd)220W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)163nC@10V
输入电容(Ciss)6.5nF
反向传输电容(Crss)330pF
输出电容(Coss)380pF

商品概述

GT120N10J采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压VDS:100V
  • 漏极电流ID(栅源电压VGS = 10V时):55A
  • 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 10V时):< 12mΩ
  • 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 4.5V时):< 15mΩ
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 功率开关
  • 直流-直流转换器

数据手册PDF