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11N10
耐压:100V 电流:110A
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- 描述
- 11N10采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- 11N10
- 商品编号
- C22362825
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.706克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 220W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 163nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 330pF | |
| 输出电容(Coss) | 380pF |
商品概述
GT120N10J采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 100V,ID = 110A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 9mΩ
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高单脉冲雪崩能量下具有良好的稳定性和一致性
- 出色的封装,散热性能良好
- 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力G06NP06DS2
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源