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G20P10KE-B
P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- VDS：-100V。ID (at VGS = -10V)：-20A。RDS(ON) (at VGS = -10V)：< 116mΩ。100% 雪崩测试。符合 RoHS 标准。ESD (HBM) > 7.0KV
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G20P10KE-B
- 商品编号
- C22362834
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.385克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 116mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.354nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 89pF |
商品概述
G20P10KE-B采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压：-100V
- 漏极电流（栅源电压 = -10V时）：-20A
- 漏源导通电阻（栅源电压 = -10V时）：< 116mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 静电放电（人体模型）>7.0KV
应用领域
-功率开关-DC/DC转换器