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G12P10KE-B
P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特性：- VDS：-100V。ID (at VGS = -10V)：-12A。RDS(ON) (at VGS = -10V) < 350mΩ。RDS(ON) (at VGS = -4.5V) < 370mΩ。100%雪崩测试。符合RoHS标准。应用：电源开关。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G12P10KE-B
- 商品编号
- C22362828
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 44.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.652nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 42pF |