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8N50F
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- 8N50F
- 商品编号
- C22362814
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.892克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.603nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 38pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
8N50F采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源极电压Vds:500V
- 栅源电压VGS为10V时的漏极电流ID:8A
- 栅源电压VGS为10V时的导通电阻RDS(ON):900mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- 直流-直流转换器