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2305-B
P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- 2305-B
- 商品编号
- C22362821
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0295克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |