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G4N50J
500V N沟道MOSFET
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- 描述
- 500V N沟道MOSFET 快速开关；100% 雪崩测试；改进的 dv/dt 能力。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G4N50J
- 商品编号
- C22362806
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.662667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
500V N 沟道 MOSFET
商品特性
- 高速开关
- 100% 雪崩测试
- 增强的 dv/dt 抗扰能力
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 开关电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）
- 功率因数校正（PFC）