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G830K
500V N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特性：快速开关。 100%雪崩测试。 改善的dv/dt能力。 符合RoHS标准且无卤。应用：DC电机控制和D类放大器。 不间断电源（UPS）
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G830K
- 商品编号
- C22362804
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.395克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 586pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58.8pF |