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VNB10N07TR-E
全自保护型功率MOSFET
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- 描述
- OMNIFET：全自动保护功率MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- VNB10N07TR-E
- 商品编号
- C2150161
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 | |
| 最大连续电流 | 14A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 55V | |
| 导通电阻 | 100mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 特性 | 过热保护(OTP)；过压保护(OVP)；短路保护(SCP) |
商品概述
VNB10N07、VNK10N07FM、VNP10N07FI 和 VNV10N07 是采用 VIPower M0 技术制造的单片器件,旨在用于直流至 50 KHz 应用中替代标准功率 MOSFET。内置热关断、线性电流限制和过压钳位功能,可在恶劣环境下保护芯片。通过监测输入引脚的电压,可检测故障反馈。
商品特性
- 线性电流限制
- 热关断
- 短路保护
- 集成钳位
- 输入引脚电流消耗低
- 通过输入引脚进行诊断反馈
- 静电放电(ESD)保护
- 直接接入功率 MOSFET 的栅极(模拟驱动)
- 与标准功率 MOSFET 兼容
- 过压钳位保护:内部设置为 70V,结合功率 MOSFET 级的坚固雪崩特性,使该器件具有无与伦比的坚固性和能量处理能力。
- 线性电流限制电路:无论输入引脚电压如何,均可将漏极电流 Id 限制为 Ilim。
- 过温和短路保护:基于芯片温度感应,且不依赖于输入电压。过温关断在最低 150°C 时发生。当芯片温度降至 135°C 以下时,器件自动重启。
- 状态反馈:在出现过温故障时,通过输入引脚提供状态反馈。
- 符合人体模型的 ESD 保护
- 能够由 TTL 逻辑电路驱动(RDS(on) 会略有增加)
应用领域
- 开关应用-LLC转换器-升压PFC转换器