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VNB10N07TR-E
全自保护型功率MOSFET
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- 描述
- OMNIFET：全自动保护功率MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- VNB10N07TR-E
- 商品编号
- C2150161
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 | |
| 最大连续电流 | 14A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 55V | |
| 导通电阻 | 100mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 特性 | 过热保护(OTP)；过压保护(OVP)；短路保护(SCP) |
商品概述
全新的MDmesh™ M6技术融合了最新的技术进步，应用于广为人知且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列产品。意法半导体（STMicroelectronics）通过其全新的M6技术，在MDmesh前代产品的基础上进行升级，该技术不仅显著改善了单位面积的导通电阻RDS(on)，还具备出色的开关性能，同时为用户带来便捷体验，以实现终端应用的最高效率。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与前代产品相比，单位面积的导通电阻RDS(on)更低
- 栅极输入电阻低
- 100%经过雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用-LLC转换器-升压PFC转换器