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LWS6028AD3实物图
  • LWS6028AD3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LWS6028AD3

P沟道功率MOSFET

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描述
LWS6028AD3采用先进的SGT技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。其封装形式为ZPDFN3
商品型号
LWS6028AD3
商品编号
C20630406
商品封装
PDFN3.3x3.3-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.105克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)26.5A
导通电阻(RDS(on))25mΩ@10V
耗散功率(Pd)35W
阈值电压(Vgs(th))1.8V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)22nC@10V
输入电容(Ciss)1.5nF
反向传输电容(Crss)12pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)548pF

商品概述

LWS6028AD3采用先进的SGT技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON),适用于多种应用场景。其封装形式为PDFN3.3*3.3-8L,符合ROHS标准和无卤标准。

商品特性

  • 快速开关
  • 低栅极电荷和导通电阻RDS(ON)
  • 低反向传输电容

应用领域

  • 电池开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 电源管理

数据手册PDF