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LWS6008A4
P沟道功率MOSFET
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- 描述
- LWS6008A8采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用场景。其封装形式为TO 252，符合ROHS标准和无卤标准
- 商品型号
- LWS6008A4
- 商品编号
- C20630416
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5004克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.403nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 941pF |
商品概述
LWS6008A4采用先进的屏蔽栅晶体管（SGT）技术和设计，在具备低栅极电荷的同时提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。其封装形式为TO - 252，符合RoHS标准和无卤标准。
商品特性
- 快速开关
- 低栅极电荷和导通电阻RDS(ON)
- 低反向传输电容
应用领域
- 电池开关应用
- 硬开关和高频电路
- 电源管理