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LWS1H150A23
P沟道功率MOSFET
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- 描述
- LWS1H150A23采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。其封装形式为SOT - 223，符合ROHS标准和无卤标准。
- 商品型号
- LWS1H150A23
- 商品编号
- C20630419
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 677pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 53.6pF |
商品概述
LWS1H150A23采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用。其封装形式为SOT - 223，符合ROHS标准和无卤标准。
商品特性
- 快速开关
- 低栅极电荷和RDS(ON)
- 低反向传输电容
应用领域
- DC - DC转换器
- 便携式设备
- 电源管理