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LW04N90A9

N沟道功率MOSFET 停产

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描述
LW04N90A9采用先进的VDMOS技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。其封装形式为TO - 220F,符合ROHS标准
商品型号
LW04N90A9
商品编号
C20630468
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.944186克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)900V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))3.2Ω@10V
耗散功率(Pd)36W
阈值电压(Vgs(th))5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)17.4nC@10V
输入电容(Ciss)700pF
反向传输电容(Crss)5pF
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)58pF
栅极电压(Vgs)±30V

商品概述

LW04N90A9采用先进的VDMOS技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。其封装形式为TO - 220F,符合ROHS标准。

商品特性

  • 快速开关
  • 低栅极电荷和低导通电阻
  • 低反向传输电容

应用领域

  • 功率开关应用
  • 硬开关和高频电路

数据手册PDF