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LW03N150BU
N沟道功率MOSFET
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- 描述
- LW03N150BU采用先进的VDMOS技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。其封装形式为TO - 3P(F)，符合ROHS标准
- 商品型号
- LW03N150BU
- 商品编号
- C20630471
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.566667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.106nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 84pF |
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