温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LWS6004A5
P沟道功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- LWS6004A5采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。其封装形式为TO - 263，符合RoHS标准和无卤标准
- 商品型号
- LWS6004A5
- 商品编号
- C20630417
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.36375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 145A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 183W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 135nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.123nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.583nF |