- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LWS1H6AM
P沟道功率MOSFET
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- 描述
- LWS1H6AM采用SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。其封装形式为SOT23，符合ROHS标准和无卤标准
- 商品型号
- LWS1H6AM
- 商品编号
- C20630418
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.35nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 141pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9.53pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |