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LWS6010H4
P沟道功率MOSFET
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- 描述
- LWS6010H4采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷条件下实现出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。其封装形式为TO - 252，符合ROHS标准和无卤标准
- 商品型号
- LWS6010H4
- 商品编号
- C20630412
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.572克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 输出电容(Coss) | 611pF |
商品概述
LWS60110A23采用SGT技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。其封装形式为SOT-223，符合ROHS标准和无卤标准。
商品特性
~~- 快速开关-低栅极电荷和RDS(ON)-低反向传输电容
应用领域
- DC-DC转换器-便携式设备-电源管理