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LWN6045A23实物图
  • LWN6045A23商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LWN6045A23

N沟道功率MOSFET

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描述
LWN6045A23采用先进的技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于多种领域。其封装形式为SOT - 223,符合RoHS标准和无卤标准
商品型号
LWN6045A23
商品编号
C20630387
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
0.233克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))45mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))2.1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)22nC@10V
输入电容(Ciss)990pF
反向传输电容(Crss)38.2pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)41.8pF

商品概述

LWN6045A23采用沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON),可用于多种应用。其封装形式为SOT - 223,符合ROHS标准和无卤标准。

商品特性

  • 快速开关
  • 低栅极电荷和导通电阻RDS(ON)
  • 低反向传输电容

应用领域

  • 直流 - 直流转换器
  • 便携式设备
  • 电源管理

数据手册PDF