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LWS60110A23实物图
  • LWS60110A23商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LWS60110A23

P沟道功率MOSFET

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
LWS60110A23采用SGT技术和设计,在具备低栅极电荷的同时提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用场景。其封装形式为SOT - 223,符合ROHS标准和无卤标准
商品型号
LWS60110A23
商品编号
C20630396
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
0.2576克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))150mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)3W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)6.01nC@10V
输入电容(Ciss)315pF
反向传输电容(Crss)2.98pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)59pF

商品特性

  • 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
  • 低输入电容 (Ciss)
  • 降低开关和传导损耗
  • 超低栅极电荷 (Qg)
  • 雪崩能量额定 (UIS)
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤

应用领域

  • 服务器和电信电源
  • 开关模式电源 (SMPS)
  • 功率因数校正电源 (PFC)
  • 照明
  • 高强度气体放电灯 (HID)
  • 荧光灯镇流器照明
  • 工业领域
  • 焊接
  • 感应加热
  • 电机驱动
  • 电池充电器
  • 可再生能源
  • 太阳能 (光伏逆变器)

数据手册PDF