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LWT1H6AM
N沟道功率MOSFET
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- 描述
- LWT1H6AM采用SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。其封装形式为SOT23，符合ROHS标准和无卤标准
- 商品型号
- LWT1H6AM
- 商品编号
- C20630393
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 145mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.81nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 126pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 40.6pF |