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LWT1H70AD3D实物图
  • LWT1H70AD3D商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LWT1H70AD3D

N+N沟道功率MOSFET

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
LWT1H70AD3D采用先进的SGT技术和设计,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。它可用于多种应用。其封装形式为Z PDFN3
商品型号
LWT1H70AD3D
商品编号
C20630394
商品封装
PDFN3.3x3.3-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.1546克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))75mΩ@10V
耗散功率(Pd)31W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.3V@250uA
栅极电荷量(Qg)5nC@10V
反向传输电容(Crss)1.9pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)58pF

商品特性

  • 降低反向恢复时间(trr)、反向恢复电荷(Qrr)和反向恢复峰值电流(IRRM)
  • 低品质因数(FOM)导通电阻(Ron)×栅极电荷(Qg)
  • 低输入电容(Ciss)
  • 因Qrr降低而具有低开关损耗
  • 超低栅极电荷(Qg)
  • 雪崩能量额定(UIS)

应用领域

  • 电信
  • 服务器和电信电源
  • 照明
  • 高强度气体放电灯(HID)
  • 荧光灯镇流器照明
  • 消费电子和计算机
  • ATX电源
  • 工业领域
  • 焊接
  • 电池充电器
  • 可再生能源
  • 太阳能(光伏逆变器)
  • 开关模式电源(SMPS)

数据手册PDF