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LWT1H70AD3D
N+N沟道功率MOSFET
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- 描述
- LWT1H70AD3D采用先进的SGT技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用。其封装形式为Z PDFN3
- 商品型号
- LWT1H70AD3D
- 商品编号
- C20630394
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1546克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 58pF |
商品特性
- 快速开关
- 低栅极电荷和RDS(ON)
- 低反向传输电容
应用领域
- 电池开关应用
- 硬开关和高频电路
- 电源管理