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LWT1H10AM
N沟道功率MOSFET
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- 描述
- LWT1H10AM采用SGT技术和设计，在具备低栅极电荷的同时提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用场景。其封装形式为SOT23，符合ROHS标准和无卤标准
- 商品型号
- LWT1H10AM
- 商品编号
- C20630392
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 950mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.01nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 33.7pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 12.7pF |
商品概述
LWT1H10AM采用SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。其封装形式为SOT23，符合ROHS标准和无卤标准。
商品特性
- 快速开关
- 低栅极电荷和导通电阻RDS(ON)
- 低反向传输电容
应用领域
- 直流-直流转换器
- 便携式设备
- 电源管理