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MDT40N10D
1个N沟道 耐压:100V 电流:33A
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- 描述
- MDT40N10D采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可应用于多种领域。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MDT40N10D
- 商品编号
- C20624227
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45452克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 225pF |
商品概述
KNX6180B是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用KIA专有的F-Cell高压平面VDMOS技术制造。改进的工艺和单元结构经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器。
商品特性
- VDS = 100 V,ID = 40 A,当VGS = 10 V时,RDS(ON) < 26 mΩ
- 高密度单元设计,可降低导通电阻
- 具有全面表征的雪崩电压和电流
- 高单脉冲雪崩能量,稳定性和一致性良好
- 出色的封装,散热性能佳
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源