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IRFP250N
1个N沟道 耐压:200V 电流:30A
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- 描述
- IRFP250N 是一款采用先进 MOSFET 技术制造的硅 N 沟道增强型 MOSFET，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。这款晶体管适用于开关电源（SMPS）、高速开关及通用应用领域。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- IRFP250N
- 商品编号
- C20624228
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 101pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 355pF |
商品概述
IRFP250N是一款采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
商品特性
- 专有新型平面技术
- 典型导通电阻RDS(ON) = 70 mΩ（栅源电压VGS = 10 V时）
- 低栅极电荷，可将开关损耗降至最低
- 快速恢复体二极管
应用领域
-DC-DC转换器-用于UPS的DC-AC逆变器-开关电源和电机控制