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IRLR024NTR
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- IRLR024NTR采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于各种应用。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- IRLR024NTR
- 商品编号
- C20624234
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45084克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
IRFB3306采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 60 V，ID = 150 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 4.2 mΩ
- 高密度单元设计，降低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高EAS，稳定性和一致性良好
- 采用出色的封装，散热性能佳
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源