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IRFB3077
1个N沟道 耐压:80V 电流:200A
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- 描述
- IRFB3077采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- IRFB3077
- 商品编号
- C20624237
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.61克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 270W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 257nC | |
| 反向传输电容(Crss) | 810pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
IRFB3077采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可广泛应用于各种领域。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 80 V，漏极电流（ID） = 200 A，在栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 4 mΩ
- 高密度单元设计，可降低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高EAS，稳定性和一致性良好
- 采用优秀的封装，散热性能良好
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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