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MLG50N65FUK
650V 50A
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- 描述
- MLG50N65FUK采用先进的沟槽场截止（T-FS）技术制造，具有低VCE(sat)、优化的开关性能和低栅极电荷Qg等特点。该IGBT适用于焊接、UPS及高开关频率应用。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MLG50N65FUK
- 商品编号
- C20624240
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.696667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 耗散功率(Pd) | 298W | |
| 输出电容(Coes) | 90pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 80A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.95V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@20A,15V | |
| 输入电容(Cies) | 2.225nF@25V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 90ns | |
| 导通损耗(Eon) | 600uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 380uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 97ns | |
| 反向传输电容(Cres) | 27pF |
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