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IRLR3410TR实物图
  • IRLR3410TR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRLR3410TR

1个N沟道 耐压:100V 电流:13A

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描述
IRLR3410TR采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
品牌名称
minos(迈诺斯)
商品型号
IRLR3410TR
商品编号
C20624232
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.4468克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)13A
导通电阻(RDS(on))120mΩ@10V
耗散功率(Pd)31W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.4V@250uA
栅极电荷量(Qg)16nC@10V
输入电容(Ciss)680pF
反向传输电容(Crss)85pF
类型N沟道
输出电容(Coss)110pF

商品概述

MDT40N10D采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS = 100 V,ID = 40 A,当VGS = 10 V时,RDS(ON) < 26 mΩ
  • 高密度单元设计,可降低导通电阻
  • 具有全面表征的雪崩电压和电流
  • 高单脉冲雪崩能量,稳定性和一致性良好
  • 出色的封装,散热性能佳

应用领域

  • 电源开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF