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IRFZ24N
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- IRFZ24N采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- IRFZ24N
- 商品编号
- C20624233
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7197克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 44W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款功率MOSFET采用了东微半导体（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- -32A、200V，最大导通电阻RDS(on)=0.086Ω（VGS = 10V时）
- 低栅极电荷：Qg = 46nC（典型值）
- 低反向传输电容：Crss = 36pF（典型值）
- 更低的电磁干扰（EMI）噪声
- 符合RoHS标准的器件
- 100%经过雪崩测试