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MT62F4G32D8DV-023 WT:B引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

MT62F4G32D8DV-023 WT:B

汽车用LPDDR5X SDRAM，每通道最大带宽17.1GB/s，频率范围1067 - 5MHz

品牌名称
micron(镁光)
商品型号
MT62F4G32D8DV-023 WT:B
商品编号
C20528960
商品封装
BGA-315(15x12.4)​
包装方式
盒装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DDR SDRAM
存储器构架(格式)LPDDR5X SDRAM
时钟频率(fc)4.266GHz
存储容量128Gbit
工作电压870mV~970mV；450mV；1.7V~1.95V；300mV；1.01V~1.12V；470mV~570mV
属性参数值
工作电流600uA
刷新电流270uA
工作温度-25℃~+85℃
功能特性ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能

商品特性

  • 每通道最大带宽17.1 GB/s
  • 频率范围：1067 - 5 MHz（每引脚数据速率范围：8533 - 40 Mb/s，WCK:CK = 4:1）
  • 可选CKR（WCK:CK = 2:1或4:1）
  • 单x16通道/芯片
  • 双倍数据率命令/地址输入
  • 用于高速操作的差分命令时钟（CK_t/CK_c）
  • 差分数据时钟（WCK_t/WCK_c）
  • 可选差分读取选通（RDQS_t/RDQS_c）
  • 16n位或32n位预取架构
  • 存储体架构：支持8存储体（8B）模式、存储体组（BG）模式和16存储体（16B）模式
  • 在存储体组或16存储体模式下，命令可选突发长度（BL = 16或32）
  • 后台ZQ校准/基于命令的ZQ校准
  • 可选链路保护（链路ECC）支持
  • 带有段掩码的部分阵列自刷新（PASR）和部分阵列自动刷新（PAAR）
  • VDD1 = 1.70 - 1.95 V；典型值1.80 V
  • VDD2H = 1.01 - 1.12 V；典型值1.05 V
  • VDD2L = VDD2H 或 0.87 - 0.97 V；典型值0.90 V
  • VDDQ = 0.50V 或 0.45V 典型值；0.30V 典型值（仅ODT关闭时）
  • 接口-LVSTL 0.5/0.3
  • I/O类型：低摆幅单端，VSS端接
  • VOH补偿输出驱动
  • 可编程VSS片上端接（ODT）
  • 非目标ODT支持
  • DVFSQ支持
  • DVFSC：动态电压频率缩放核心
  • 单端CK、单端WCK和单端RDQS
  • 数据复制
  • 写X

数据手册PDF

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