Name: micron(镁光) MT40A2G8AG-062E AUT:F
Brand: micron(镁光)
SKU: C20529434
Price: 111.06 CNY
Availability: OutOfStock

VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV
VPP = 2.5V，-125mV，+250mV
片内、内部、可调的VREFDQ生成
1.2V伪开漏I/O
在TC温度范围8192周期的刷新时间：- 64ms，在-40°C至85°C；32ms，在>85°C至95°C；16ms，在>95°C至105°C；8ms，在>105°C至125°C
16个内部存储体（x8）：每组4个存储体，共4组
8个内部存储体（x16）：每组4个存储体，共2组
8n位预取架构
可编程数据选通前导码
数据选通前导码训练
命令/地址延迟（CAL）
多用途寄存器读写能力
写电平调整
自刷新模式
低功耗自动自刷新（LPASR）
温度控制刷新（TCR）
精细粒度刷新
自刷新中止
最大节能
输出驱动器校准
标称、空闲和动态片内终端（ODT）
数据总线反相（DBI）用于数据总线
命令/地址（CA）奇偶校验
数据总线写循环冗余校验（CRC）
每个DRAM可寻址性
连通性测试
符合JEDEC JESD - 79 - 4标准
sPPR和hPPR能力
AEC - Q100认证
PPAP提交

	属性	参数值
	工作电流	-
	刷新电流	-
	工作温度	-40℃~+125℃
	功能特性	写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；自动预充电功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能

MT40A2G8AG-062E AUT:F

商品参数