MT53E4G32D8CY-046 WT:C

X32 LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM

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商品参数

	属性	参数值
	工作电流	34mA
	刷新电流	3mA
	工作温度	-25℃~+85℃
	功能特性	写入均衡功能；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能

超低电压核心与输入/输出电源：VDD1 = 1.70 - 1.95 V，标称值1.80 V；VDD2 = 1.06 - 1.17 V，标称值1.10 V；VDDQ = 0.57 - 0.65 V，标称值0.60 V 或 VDDQ = 1.06 - 1.17 V，标称值1.10 V
频率范围：2133–10 MHz，每引脚数据速率范围：4266–20 Mb/s
采用16n预取双倍数据速率架构
每个通道8个内部存储体，支持并发操作
单倍数据速率命令与地址输入
每个字节通道配备双向/差分数据选通
可编程读取与写入延迟
支持可编程及动态突发长度
支持定向存储体刷新，便于命令调度与并发存储体操作
片上温度传感器，用于控制自刷新速率
支持部分阵列自刷新
可选输出驱动强度
支持时钟停止功能
符合RoHS标准
可编程VSS端接
支持单端时钟与数据选通