MT41K512M16TNA-125 M:E

8Gb（TwinDie™）1.35V DDR3L SDRAM是1.5V DDR3 SDRAM设备的低电压版本。它使用两个美光4Gb DDR3L SDRAM x16芯片，本质上是两个4Gb DDR3L SDRAM存储体。除非另有说明，DDR3L符合等效密度DDR3 SDRAM数据手册中列出的功能和时序规格。未包含在本文档中的规格，请参考美光4Gb DDR3 SDRAM数据手册。基本部件编号MT41K256M16（单片）的规格与制造部件编号MT41K512M16相关。TwinDie DDR3L SDRAM是一种高速CMOS动态随机存取存储设备，内部配置为两个8存储体DDR3L SDRAM设备。尽管双芯片封装中的每个芯片都单独进行测试，但一些TwinDie测试结果可能与单片芯片封装中测试的同类芯片有所不同。DDR3L SDRAM采用双倍数据速率架构来实现高速运行。差分数据选通信号（DQS、DQS#）与数据一起外部传输，用于在DDR3L SDRAM输入接收器处进行数据捕获。对DDR3L SDRAM的读写访问是面向突发的。本数据手册提供了一般描述、封装尺寸和封装应急方案。有关单个芯片初始化、寄存器定义、命令描述和芯片操作的完整信息，请参考美光单片DDR3L数据手册。工业温度（IT）选项（如果提供）要求外壳温度不超过 -40°C或95°C。当TC超过85°C时，JEDEC规格要求刷新速率加倍；这也需要使用高温自刷新选项。此外，当TC < 0°C或 > 95°C时，ODT电阻、IDD值、一些IDD规格和输入/输出阻抗必须降额。

• 在一个封装中使用两个4Gb x16美光芯片
• 两个存储体（包括双CS#、ODT、CKE和ZQ引脚）
• VDD = VDDQ = 1.35V（1.283 - 1.425V）；向后兼容1.5V操作
• 1.35V中心端接推挽式I/O
• JEDEC标准应急方案
• 薄型封装
• TC为0°C至95°C
• 0°C至85°C：64ms内进行8192次刷新周期
• 85°C至95°C：32ms内进行8192次刷新周期