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W9464G6JH-4

1M x 4 BANKS x 16 BITS DDR SDRAM

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品牌名称: Winbond(华邦)
商品型号: W9464G6JH-4
商品编号: C20531457
商品封装: 66-TSOP II
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

W9464G6JH是一款CMOS双数据速率同步动态随机存取存储器（DDR SDRAM），组织形式为1M字×4个存储体×16位。W9464G6JH的数据带宽最高可达每秒500M字（-4）。为完全符合个人计算机行业标准，W9464G6JH分为以下速度等级：-4、-5和-5l。-4等级符合DDR500/CL3和CL4规范。-5/-5l等级符合DDR400/CL3规范（-5l等级保证支持-40°C ~ 85°C）。所有输入信号均参考CLK的正边沿（DQ、DM和CKE除外）。差分时钟的时序参考点是CLK和CLK信号在转换期间交叉的时刻。写数据和读数据与DQS（数据选通）的两个边沿同步。通过可编程模式寄存器，系统可以改变突发长度、延迟周期、交错或顺序突发，以最大化其性能。W9464G6JH非常适合任何高性能应用。

商品特性

DDR400的电源电压为2.5V ±0.2V
DDR500的电源电压为2.4V~2.7V
时钟频率最高可达250 MHz
双数据速率架构；每个时钟周期进行两次数据传输
差分时钟输入（CLK和CLK）
DQS在读操作时与数据边沿对齐；在写操作时与数据中心对齐
CAS延迟：2、2.5、3和4
突发长度：2、4和8
自动刷新和自刷新
预充电掉电和主动掉电
写数据掩码
写延迟 = 1
刷新间隔为15.6μS（4K/64 mS刷新）
最大突发刷新周期：8
接口：SSTL_2
采用TSOP II 66引脚封装，使用符合RoHS标准的无铅材料

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	DDR SDRAM
	时钟频率(fc)	250MHz
	存储容量	64Mbit
	工作电压	2.4V~2.7V

	属性	参数值
	工作电流	50mA
	刷新电流	2mA
	工作温度	0℃~+70℃
	功能特性	自动预充电功能；数据掩码功能