- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT62F4G32D8DV-023 AAT:B
汽车用LPDDR5X SDRAM，每通道最大带宽17.1GB/s，频率范围1067 - 5MHz
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT62F4G32D8DV-023 AAT:B
- 商品编号
- C20531323
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR5X SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 4.266GHz | |
| 存储容量 | 128Gbit | |
| 工作电压 | 870mV~970mV；450mV；1.7V~1.95V；500mV；1.01V~1.12V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | 270uA | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能 |
商品特性
- 每通道最大带宽17.1 GB/s
- 频率范围：1067 - 5 MHz（每引脚数据速率范围：8533 - 40 Mb/s，WCK:CK = 4:1）
- 可选CKR（WCK:CK = 2:1或4:1）
- 单x16通道/芯片
- 双倍数据率命令/地址输入
- 用于高速操作的差分命令时钟（CK_t/CK_c）
- 差分数据时钟（WCK_t/WCK_c）
- 可选差分读取选通（RDQS_t/RDQS_c）
- 16n位或32n位预取架构
- 存储体架构：支持8存储体（8B）模式、存储体组（BG）模式和16存储体（16B）模式
- 在存储体组或16存储体模式下，命令可选突发长度（BL = 16或32）
- 后台ZQ校准/基于命令的ZQ校准
- 可选链路保护（链路ECC）支持
- 带有段掩码的部分阵列自刷新（PASR）和部分阵列自动刷新（PAAR）
- VDD1 = 1.70 - 1.95 V；典型值1.80 V
- VDD2H = 1.01 - 1.12 V；典型值1.05 V
- VDD2L = VDD2H 或 0.87 - 0.97 V；典型值0.90 V
- VDDQ = 0.50V 或 0.45V 典型值；0.30V 典型值（仅ODT关闭时）
- 接口-LVSTL 0.5/0.3
- I/O类型：低摆幅单端，VSS端接
- VOH补偿输出驱动
- 可编程VSS片上端接（ODT）
- 非目标ODT支持
- DVFSQ支持
- DVFSC：动态电压频率缩放核心
- 单端CK、单端WCK和单端RDQS
- 数据复制
- 写X
- FCQ38999/20WJ61SBMIL-STD-461
- ASMAJ6.5CA-HF
- FCQ38999/23YF28PAMIL-STD-461
- GTCL02R22-19PZ-B30-LC
- MT62F1536M64D8CL-023 WT:B
- FKP1Y016806D00MSC9
- Q8-CH4-100L-R-X
- MBRB860-TP
- 2102847-1
- GTC030-32-76PW-025-B30-LC
- GTC08AF32-6PY-B30-LC
- ACC08A32-13RX-003-LC
- GTC08-16S-16S-LC
- ACC01CF24-10P-025-LC
- ACC00A22-7S-003-LC
- A207SYZQ04
- MT60B2G8HS-48B AAT:A
- MT62F4G32D8DV-026 WT:B
- 1-1676904-9
- ACC05E16S-4S-025-B30-LC
- GTC06RV20-3PZ-B30-LC