- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT53E4G32D8GS-046 WT:C
LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT53E4G32D8GS-046 WT:C
- 商品编号
- C20530795
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 128Gbit | |
| 工作电压 | 570mV~650mV；1.7V~1.95V；1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -25℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能 |
商品特性
- 超低电压核心与输入/输出电源供应
- VDD1 = 1.70 - 1.95 V；标称值 1.80 V
- VDD2 = 1.06 - 1.17 V；标称值 1.10 V
- VDDQ = 0.57 - 0.65 V；标称值 0.60 V 或 VDDQ = 1.06 - 1.17 V；标称值 1.10 V
- 频率范围：2133-10 兆赫兹
- 每引脚数据速率范围：4266-20 兆比特/秒
- 16n 预取双倍数据速率架构
- 每个通道8个内部存储体，支持并发操作
- 单数据速率命令/地址输入
- 每个字节通道支持双向/差分数据选通
- 可编程读取与写入延迟
- 可编程及动态突发长度
- 支持定向每存储体刷新，便于命令调度
- 片上温度传感器用于控制自刷新速率
- 支持部分阵列自刷新
- 可选输出驱动强度
- 支持时钟停止功能
- 符合环保标准的封装
- 可编程接地端接
- 支持单端时钟与数据选通
- ACC02A24-AJPZ-025-B30-LC
- C0402JB0G682M020BC
- FCQ38999/20MF35PDMIL-STD-461
- GTC08-36-3SY-023-LC
- W9412G6IH-5
- EDF8164A3MD-GD-F-R
- FCQ38999/20TH6BNMIL-STD-461
- GTCL01R28-15PX-B30-LC
- FCQ38999/20GA98SAMIL-STD-461
- MT62F3G32D8DV-023 AAT:B
- FCQ38999/21YJ43PAMIL-STD-461
- A/20K-R-NIST
- PTFC210202FC-V1-R0
- 1624322-5
- ACC02A16S-15P-025-B30-LC
- GTC030LCF24-12SX-025-B30-LC
- FCQ38999/24WE6BCMIL-STD-461
- FCQ38999/26WJ4SEMIL-STD-461
- FCQ38999/24KF28SDMIL-STD-461
- PXAC260602FC-V1-R0
- ECJ-HVB1C106M