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W9412G6IH-5

2M x 4 BANKS x 16 BITS DDR SDRAM

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品牌名称: Winbond(华邦)
商品型号: W9412G6IH-5
商品编号: C20530804
商品封装: 66-TSOP II
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

W9412G6IH是一款CMOS双数据速率同步动态随机存取存储器（DDR SDRAM），组织形式为2M字×4个存储体×16位。W9412G6IH的数据带宽高达每秒500M字（-4）。为完全符合个人计算机行业标准，W9412G6IH分为以下速度等级：-4、-5、-5l、-6和-6l。-4等级符合DDR500/CL3和CL4规范。-5/-5l等级符合DDR400/CL3规范（-5l等级保证支持-40°C ~ 85°C）。-6/-6l等级符合DDR333/CL2.5规范（-6l等级保证支持-40°C ~ 85°C）。所有输入参考CLK的上升沿（DQ、DM和CKE除外）。差分时钟的时序参考点是CLK和CLK信号在转换期间交叉的时刻。写入和读取数据与DQS（数据选通）的两个边沿同步。通过可编程模式寄存器，系统可以更改突发长度、延迟周期、交错或顺序突发以最大化其性能。W9412G6IH非常适合用于高性能应用的主存储器。

商品特性

DDR333/400的电源电压为2.5V ±0.2V
DDR500的电源电压为2.5V ±0.1V
最高250 MHz时钟频率
双数据速率架构；每个时钟周期进行两次数据传输
差分时钟输入（CLK和CLK上划线）
DQS在读取时与数据边沿对齐；在写入时与数据中心对齐
CAS延迟：2、2.5、3和4
突发长度：2、4和8
自动刷新和自刷新
预充电掉电和有源掉电
写入数据掩码
写入延迟 = 1
15.6μS刷新间隔（4K/64 mS刷新）
最大突发刷新周期：8
接口：SSTL_2
采用TSOP II 66引脚封装，使用符合RoHS标准的无铅材料

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	DDR SDRAM
	时钟频率(fc)	200MHz
	存储容量	128Mbit
	工作电压	2.3V~2.7V

	属性	参数值
	工作电流	130mA
	刷新电流	3mA
	工作温度	0℃~+70℃
	功能特性	自动预充电功能；数据掩码功能