- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT60B1G16HC-48B:A
16Gb DDR5 SDRAM
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- 品牌名称
- micron(美光)
- 商品型号
- MT60B1G16HC-48B:A
- 商品编号
- C20530574
- 商品封装
- 102-VFBGA (9x14)
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR5 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.4GHz | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 工作电压 | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 122mA | |
| 刷新电流 | 102mA | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；片上纠错码；ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能 |
商品特性
- VDD = VDDQ = 1.1V（标称）
- VPP = 1.8V（标称）
- 片上、内部、可调 VREF 生成，用于 DQ、CA、CS
- 1.1V 伪开漏 I/O
- TC 最高达 95°C
- 32ms、8192周期刷新，最高至 85°C
- 16ms、8192周期刷新，在 >85°C 至 95°C 范围内
- 32个内部存储体（x4、x8）：每组4个存储体，共8组
- 16个内部存储体（x16）：每组4个存储体，共4组
- 16n位预取架构
- 1周期/2周期命令结构
- 2N模式
- 全存储体和相同存储体刷新
- 多用途命令 (MPC)
- CS/CA训练模式
- 片上 ECC（有界故障）
- ECC透明性和错误擦洗
- 决策反馈均衡 (DFE)
- 环回模式
- 基于命令的非目标 (NT) 标称、DQ/DQS 停放和动态写片上终端 (ODT)
- sPPR 和 hPPR 能力
- 每DRAM可寻址性
- 符合 JEDEC JESD-79.5 标准
- MT60B1G16HC-56B:G
- FCQ38999/26MJ43SEMIL-STD-461
- SNFPX033308JD2MSSD
- VI-JN3-CY-F2
- GTC00CF28-79SW-RDS-LC
- 7-2176070-7
- FCQ38999/23NF35DNMIL-STD-461
- FCQ38999/27YG11PEMIL-STD-461
- OC-09-530-SO
- FCQ38999/24Z37BNMIL-STD-461
- FCQ38999/24WJ19PNMIL-STD-461
- FCQ38999/26MF35SEMIL-STD-461
- FCQ38999/24TJ8BDMIL-STD-461
- GTC06-32-52S-B30-LC
- ACC02E36-4SX-003-LC
- ACC05E20-16S-003-LC
- 3430H2F7R5TDF
- CF200-332JTR
- FCQ38999/20KJ43PEMIL-STD-461
- FCQ38999/20JB2ANMIL-STD-461
- FCQ38999/24SG35SAMIL-STD-461