MT60B1G16HC-48B:A
16Gb DDR5 SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT60B1G16HC-48B:A
- 商品编号
- C20530574
- 商品封装
- 102-VFBGA (9x14)
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR5 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.4GHz | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 工作电压 | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 122mA | |
| 刷新电流 | 102mA | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能;自动自刷新;CRC功能;片上纠错码;ZQ校准功能;异步复位功能;数据掩码功能 |
商品特性
- 本文件描述了美光16Gb DDR5 A版芯片设备的独特产品规格。如需了解美光DDR5 SDRAM的一般规格,请参阅美光DDR5 SDRAM核心产品数据表。本16Gb A版DDR5 SDRAM数据表附录中的内容取代了核心数据表中定义的内容。
- VDD = VDDQ = 1.1V(标称值)
- VPP = 1.8V(标称值)
- 片上、内部、可调节的DQ、CA、CS参考电压VREF生成
- 1.1V伪开漏I/O
- 最高结温TC可达95°C
- 在最高85°C时,32ms、8192周期刷新
- 在85°C至95°C时,16ms、8192周期刷新
- 32个内部存储体(x4、x8):每组4个存储体,共8组
- 16个内部存储体(x16):每组4个存储体,共4组
- 16n位预取架构
- 1周期/2周期命令结构
- 2N模式
- 全存储体和同存储体刷新
- 多用途命令(MPC)
- CS/CA训练模式
- 片上ECC(有界故障)
- ECC透明性和错误清理
- 判决反馈均衡(DFE)
- 回环模式
- 基于命令的非目标(NT)标称、DQ/DQS停放和动态写片上终端(ODT)
- sPPR和hPPR能力
- 每个DRAM可寻址性
- 符合JEDEC JESD - 79.5标准
- MT60B1G16HC-56B:G
- FCQ38999/26MJ43SEMIL-STD-461
- SNFPX033308JD2MSSD
- VI-JN3-CY-F2
- GTC00CF28-79SW-RDS-LC
- 7-2176070-7
- FCQ38999/23NF35DNMIL-STD-461
- FCQ38999/27YG11PEMIL-STD-461
- OC-09-530-SO
- FCQ38999/24Z37BNMIL-STD-461
- FCQ38999/24WJ19PNMIL-STD-461
- FCQ38999/26MF35SEMIL-STD-461
- FCQ38999/24TJ8BDMIL-STD-461
- A101J1AQ204
- GTC06-32-52S-B30-LC
- ACC02E36-4SX-003-LC
- ACC05E20-16S-003-LC
- 3430H2F7R5TDF
- CF200-332JTR
- FCQ38999/20KJ43PEMIL-STD-461
- FCQ38999/20JB2ANMIL-STD-461
