- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT40A1G16TD-062E AAT:F
16Gb:x8,x16 汽车级 DDR4 SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT40A1G16TD-062E AAT:F
- 商品编号
- C20529084
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.6GHz | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 工作电压 | 1.14V~1.26V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；自动预充电功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品特性
- VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV
- VPP = 2.5V，-125mV，+250mV
- 片内、内部、可调的VREFDQ生成
- 1.2V伪开漏I/O
- 在TC温度范围8192周期的刷新时间：-64ms，在-40°C至85°C
- 32ms，在>85°C至95°C
- 16ms，在>95°C至105°C
- 8ms，在>105°C至125°C
- 16个内部存储体（x8）：每组4个存储体，共4组
- 8个内部存储体（x16）：每组4个存储体，共2组
- 8n位预取架构
- 可编程数据选通前导码
- 数据选通前导码训练
- 命令/地址延迟（CAL）
- 多功能寄存器读写能力
- 写电平校准
- 自刷新模式
- 低功耗自动自刷新（LPASR）
- 温度控制刷新（TCR）
- 精细粒度刷新
- 自刷新中止
- 最大节能
- 输出驱动器校准
- 标称、空闲和动态片内终结（ODT）
- 数据总线反转（DBI）用于数据总线
- 命令/地址（CA）奇偶校验
- 数据总线写循环冗余校验（CRC）
- 每个DRAM可寻址性
- 连通性测试
- 符合JEDEC JESD - 79 - 4标准
- sPPR和hPPR能力
- AEC - Q100
- PPAP提交
- ACC03E16S-17P-003-B30-LC
- GTC030CF24-9SW-025-LC
- MBRB1630CT-TP
- FCQ38999/26JD15SNMIL-STD-461
- MT53B256M32D1PX-062 XT:C TR
- FCQ38999/20WJ8SCMIL-STD-461
- FCQ38999/20LJ4ANMIL-STD-461
- GTC00CFZ32-13SY-RDS-LC
- FCQ38999/24FC35PDMIL-STD-461
- FCQ38999/26FE26SCMIL-STD-461
- FCQ38999/20WD19PDMIL-STD-461
- FCQ38999/26WC4BEMIL-STD-461
- FCQ38999/26ZG35HAMIL-STD-461
- A/CO2-R2S-CP-A09-G5
- FCQ38999/24GG11PAMIL-STD-461
- FCQ38999/24ZE8SCMIL-STD-461
- FCQ38999/24SJ35SCMIL-STD-461
- FCQ38999/24JD5BCMIL-STD-461
- SS15HE3_B/H
- FCQ38999/24SF28SBMIL-STD-461
- GTC06CFZ28-19PX-025-B30-LC