- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT40A2G8AG-062E AAT:F
8Gb:x8,x16 汽车级 DDR4 SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT40A2G8AG-062E AAT:F
- 商品编号
- C20529013
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.6GHz | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 工作电压 | 1.14V~1.26V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；自动预充电功能；ZQ校准功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品特性
- VDD = VDDO = 1.2V ± 60mV
- Vpp = 2.5V -125mV / +250mV
- 片上可调内部VREFDQ生成
- 1.2V伪漏极开路I/O
- 刷新时间：在TC温度范围-40°C至85°C时为8192周期-64毫秒；在85°C至95°C时为32毫秒；在95°C至105°C时为16毫秒；在105°C至125°C时为8毫秒
- 16个内部存储体（x8）：4组，每组4个存储体
- 8个内部存储体（x16）：2组，每组4个存储体
- 8n位预取架构
- 可编程数据选通前导码
- 数据选通前导码训练
- 命令/地址延迟
- 多功能寄存器读写能力
- 写入均衡
- 自刷新模式
- 低功耗自动自刷新
- 温度控制刷新
- 精细粒度刷新
- 自刷新中止
- 最大节能模式
- 输出驱动器校准
- 标称、驻留和动态片上终端
- 数据总线反转
- 命令/地址奇偶校验
- 数据总线写入循环冗余校验
- 每DRAM可寻址性
- 连接性测试
- 符合JEDEC JESD-79-4标准
- 支持软永久性修复和硬永久性修复能力
- 支持存储器内建自测试-永久性修复
- 符合AEC-Q100标准
- 生产件批准程序提交
- MT40A2G8AG-062E AIT:F
- MT40A1G16TD-062E AAT:F
- MT40A2G8AG-062E AUT:F
- MT41K512M16TNA-125:E TR
- MT60B1G16HC-48B IT:A
- MT53E4G32D8CY-046 WT:C
- MT62F4G32D8DV-023 AIT:B
- MT60B1G16HC-48B:A
- MT60B1G16HC-56B:G
- MT53E4G32D8GS-046 WT:C
- MT40A1G16TD-062E AIT:F
- MT62F4G32D8DV-023 AAT:B
- MT41K512M16TNA-125 IT:E TR
- MT41K512M16TNA-125 M:E
- 1616272-9
- GTC06-16S-4SZ-025-LC
- MBRB2530CT-TP
- MT62F3G32D8DV-026 AAT:B TR
- ACUCT-125-400:333
- FCQ38999/20ZD35PBMIL-STD-461
- FCQ38999/24ZC98SCMIL-STD-461
- FCQ38999/26KH21SEMIL-STD-461
- FCQ38999/26JG39PDMIL-STD-461
- 5223627-1
- GTC030AF32-52S-RDS-LC
- MT53D1536M32D6BE-053 WT:D
- PTFB241402F-V1-R250
- FCQ38999/20M37BCMIL-STD-461
- FCQ38999/20MC4PAMIL-STD-461
- FCQ38999/20SG75PAMIL-STD-461
- FCQ38999/20JJ43SCMIL-STD-461
- PTAC240502FC-V1-R0
- PXAC261002FC-V1-R250
- 8-1879503-5
- MT48LC16M8A2BB-6A XIT:L