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JFE150DBVR
JFE150DBVR
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- JFE150DBVR
- 商品编号
- C20345475
- 商品封装
- SOT-23-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1.2V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 40V | |
| 漏源电流(Idss) | 35mA | |
| 输入电容(Ciss) | 24pF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 输出电容(Coss) | 8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| FET类型 | N沟道 |
商品概述
JFE150是一款超低噪声、低栅极电流的音频N沟道JFET，是采用德州仪器现代高性能模拟双极工艺制造的Burr-Brown™分立器件。JFE150具备旧款分立JFET技术以往无法实现的性能，可实现最高的噪声-功率效率与灵活性，静态电流可由用户设置，在50μA至20mA的电流范围内均可提供出色的噪声性能。当偏置在5mA时，该器件可获得0.8 nV/√Hz的输入参考噪声，在输入阻抗大于1 TΩ的条件下实现超低噪声性能。JFE150还集成了连接至独立钳位节点的二极管，无需额外添加高泄漏、非线性的外部二极管即可提供保护。JFE150可承受40V的高漏源电压，以及低至-40V的栅源和栅漏电压，规定工作温度范围为-40℃ 至 +125℃，提供5引脚SOT-23和SC70封装。
商品特性
- 超低噪声
- 1kHz时电压噪声可低至0.8 nV/√Hz（IDS为5mA时）
- 1kHz时电流噪声为1.8 fA/√Hz
- 栅极电流最大为10 pA
- 低输入电容，VDS为5V时为24 pF
- 栅漏和栅源击穿电压高
- 高跨导，为68 mS
- 提供小型SC70和SOT-23封装
应用领域
- 麦克风输入
- 水听器和船舶设备
- DJ控制器、调音台及其他DJ设备
- 专业音频调音台或控制界面
- 吉他放大器及其他乐器放大器
- 状态监测传感器