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LM74801MDRRR
LM74801MDRRR
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LM74801MDRRR
- 商品编号
- C20345496
- 商品封装
- WSON-12(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.166克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
LM7480理想二极管控制器驱动并控制外部背对背N沟道MOSFET，以模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V至65V的宽输入电源允许对12V和24V输入供电系统进行保护和控制。该器件能够承受低至 -65V的负电源电压，并保护负载。集成的理想二极管控制器（DGATE）驱动第一个MOSFET，以取代用于反向输入保护和输出电压保持的肖特基二极管。通过在电源路径中使用第二个MOSFET，该器件可使用HGATE控制实现负载断开（开/关控制）和过压保护。该器件具有可调节的过压截止保护功能。LM7480有两种型号，LM74800和LM74801。LM74800采用线性调节和比较器方案进行反向电流阻断，而LM74801支持基于比较器的方案。通过功率MOSFET的共漏配置，中点可用于使用另一个理想二极管的或门设计。LM7480的最大电压额定值为65V。通过将该器件与共源拓扑中的外部MOSFET进行配置，可以保护负载免受24V电池系统中200V未抑制负载突降等延长过压瞬变的影响。
商品特性
- 适用于扩展温度应用
- 器件温度：环境工作温度范围为 -55°C至 +125°C
- 3V至65V输入范围
- 反向输入保护低至 -65V
- 驱动共漏和共源配置的外部背对背N沟道MOSFET
- 具有10.5mV A至C正向压降调节的理想二极管操作（LM74800）
- 低反向检测阈值（ -4.5mV），快速响应（0.5µs）
- 20mA峰值栅极（DGATE）导通电流
- 2.6A峰值DGATE关断电流
- 可调节过压保护
- 低2.87µA关断电流（EN/UVLO = 低）
- 采用节省空间的12引脚WSON封装
应用领域
- 传感器
- 成像
- 雷达
- 冗余电源的有源或门
- 带开关输出的理想二极管
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