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LM74900QRGERQ1

具备断路器、欠压和过压保护以及故障输出功能的汽车用理想二极管

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描述: LM74900-Q1 具有断路器、欠压和过压保护以及故障输出功能的汽车类理想二极管
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LM74900QRGERQ1
商品编号: C20345498
商品封装: VQFN-24(4x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.07克(g)

商品参数

商品概述

LM749x0-Q1理想二极管控制器驱动并控制外部背靠背N沟道MOSFET，以模拟具有电源路径开/关控制、过流和过压保护功能的理想二极管整流器。3 V至65 V的宽输入电源范围可对12 V和24 V汽车电池供电的电子控制单元（ECU）进行保护和控制。该器件能够承受低至 -65 V的负电源电压，并保护负载免受其影响。集成的理想二极管控制器（DGATE）驱动第一个MOSFET，以替代用于反向输入保护和输出电压保持的肖特基二极管。通过在电源路径中使用第二个MOSFET，该器件可在过流和过压事件发生时，利用HGATE控制实现负载断开（开/关控制）。该器件集成了电流检测放大器，可提供精确的电流监测，并具备可调的过流和短路阈值。该器件具有可调的过压关断保护功能。该器件具备睡眠（SLEEP）模式，可实现超低静态电流消耗（6 μA），同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM749x0-Q1的最大额定电压为65 V。

商品特性

符合汽车应用的AEC-Q100标准——器件温度等级1：环境工作温度范围为 -40℃至 +125℃
提供功能安全相关文档，有助于功能安全系统设计
3 V至65 V输入范围
反向输入保护低至 -65 V
驱动共漏配置的外部背靠背N沟道MOSFET
理想二极管工作模式，A至C正向压降调节为10.5 mV
低反向检测阈值（ -10.5 mV），快速关断响应（0.5 μs）
20 mA峰值栅极（DGATE）开启电流
2.6 A峰值DGATE关断电流
可调过流和短路保护
模拟电流监测输出，精度为10%（IMON）
可调过压和欠压保护
低关断电流2.5 μA（EN = 低电平）
睡眠（SLEEP）模式电流为6 μA（EN = 高电平，SLEEP = 低电平）
搭配合适的瞬态电压抑制（TVS）二极管，可满足汽车ISO7637瞬态要求
采用节省空间的24引脚VQFN封装

应用领域

汽车电池保护
高级驾驶辅助系统（ADAS）域控制器
信息娱乐系统和仪表盘
汽车音频：外部放大器
冗余电源的有源ORing

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	理想二极管/ORing控制器
	输入电压(Vin)	3V~65V
	反向耐压	65V
	FET类型	外置共源FET
	栅极驱动电压	11.5V

	属性	参数值
	正向压降(Vf)	10.5mV
	静态电流(Iq)	750uA
	工作温度	-40℃~+150℃
	拉电流(IOH)	20mA
	灌电流(IOL)	2.6A