LM74810MDRRR

LM74810理想二极管控制器驱动并控制外部背对背N沟道MOSFET，以模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3 V至65 V的宽输入电源范围可对12 V和24 V输入供电系统进行保护和控制。该器件能够承受低至 -65 V的负电源电压，并保护负载免受其影响。集成的理想二极管控制器（DGATE）驱动第一个MOSFET，以取代用于反向输入保护和输出电压保持的肖特基二极管。通过在电源路径中使用第二个MOSFET，该器件可利用HGATE控制实现负载断开（开/关控制）和过压保护。该器件具有可调节的过压截止保护功能。LM74810采用线性调节和比较器方案实现反向电流阻断。借助功率MOSFET的共漏极配置，中点可用于与另一个理想二极管进行“或”设计。LM74810的最大额定电压为65 V。通过将该器件与共源极拓扑中的外部MOSFET进行配置，可保护负载免受24 V电池系统中200 V未抑制负载突降等长时间过压瞬变的影响。

• 适用于扩展温度应用——器件温度：环境工作温度范围为 -55℃至 +125℃
• 3 V至65 V输入范围
• 低至 -65 V的反向输入保护
• 驱动外部背对背N沟道MOSFET
• 具有9.1 mV A至C正向压降调节功能的理想二极管操作
• 低反向检测阈值（-4 mV），响应迅速（0.5 μs）
• 高达200 kHz的有源整流
• 60 mA峰值栅极（DGATE）导通电流
• 2.6 A峰值DGATE关断电流
• 集成3.8 mA电荷泵
• 可调节过压保护
• 低至2.87 μA的关断电流（EN/UVLO = 低电平）
• 搭配合适的TVS二极管可满足汽车ISO7637瞬态要求
• 采用节省空间的12引脚WSON封装

• 传感器
• 成像雷达
• 冗余电源的有源“或”操作
• 带开关输出的理想二极管