LM5165XQDGSRQ1
LM5165XQDGSRQ1
- 描述
- LM5165-Q1 具有超低 IQ 的汽车类 3V-65V、150mA 同步降压转换器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LM5165XQDGSRQ1
- 商品编号
- C20345494
- 商品封装
- VSSOP-10
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16675克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DC-DC电源芯片 | |
| 功能类型 | 降压型 | |
| 工作电压 | 3V~65V | |
| 输出电压 | - | |
| 输出电流 | 150mA | |
| 开关频率 | 220kHz | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 同步整流 | 是 | |
| 输出通道数 | 1 | |
| 拓扑结构 | 降压式 | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 开关管(内置/外置) | 内置 | |
| 输出类型 | - |
商品概述
LM5165-Q1器件是一款紧凑、易用的3 V至65 V超低IQ同步降压转换器,在宽输入电压和负载电流范围内具有高效率。集成了高端和低端功率MOSFET,可在3.3 V或5 V的固定输出电压下或可调输出时提供高达150 mA的输出电流。该转换器旨在简化实施,同时提供优化目标应用性能的选项。可选择脉冲频率调制(PFM)模式以实现最佳轻载效率,或选择恒定导通时间(COT)控制以实现近乎恒定的工作频率。两种控制方案均无需环路补偿,同时提供出色的线路和负载瞬态响应,以及适用于大降压转换比的短PWM导通时间。 高端P沟道MOSFET可在100%占空比下工作,以实现最低压降,并且栅极驱动无需自举电容。此外,电流限制设定点可调,可针对特定输出电流要求优化电感器选择。可选且可调的启动时序选项包括最小延迟(无软启动)、内部固定(900 µs)以及使用电容进行外部可编程软启动。漏极开路PGOOD指示器可用于排序、故障报告和输出电压监控。LM5165-Q1符合汽车AEC-Q100 1级标准,采用引脚间距为0.5 mm的10引脚VSON和VSSOP封装。
商品特性
- 符合汽车应用的AEC-Q100标准 – 器件温度等级1:环境温度范围为-40℃至125℃
- 器件人体模型(HBM)静电放电分类等级2
- 器件带电器件模型(CDM)静电放电分类等级C5
- 3 V至65 V的宽输入电压范围
- 10.5 µA的无负载静态电流
- -40℃至150℃的结温范围
- 固定(3.3 V和5 V)或可调输出电压
- 符合EN55022 / CISPR 22电磁干扰(EMI)标准
- 集成2 Ω PMOS降压开关 – 支持100%占空比以实现低压降
- 集成1 Ω NMOS同步整流器 – 无需外部整流二极管
- 可编程电流限制设定点(四个等级)
- 可选PFM或COT模式操作
- 1.223 V ±1%内部电压基准
- 900 µs内部或可编程软启动
- 有源压摆率控制以降低EMI
- 向预偏置输出单调启动
- 无需环路补偿或自举组件
- 带迟滞的精密使能和输入欠压锁定(UVLO)
- 带迟滞的热关断保护
- 10引脚VSON和VSSOP封装
- 使用TPSM265R1模块以加快产品上市时间
- 使用WEBENCH电源设计器创建定制稳压器设计
应用领域
- 汽车和电池供电设备
- 高压低压差线性稳压器(LDO)替代方案
- 通用偏置电源
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