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JFE150DBVT
JFE150DBVT
- 描述
- JFE150是一款低噪声、低栅极电流的音频N沟道JFET。它具有超低噪声性能，适用于高输入阻抗应用。JFE150还集成了保护二极管，可在不增加高泄漏、非线性外部二极管的情况下提供保护。
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- JFE150DBVT
- 商品编号
- C20345476
- 商品封装
- SOT-23-5
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1.2V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 57mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 24pF | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| FET类型 | N沟道 |
商品概述
JFE150是一款采用德州仪器现代高性能模拟双极工艺制造的Burr - Brown分立JFET。JFE150具有以往旧分立JFET技术所不具备的性能。JFE150提供了尽可能高的噪声与功率效率和灵活性，用户可以设置静态电流。对于50 μA至20 mA的电流，它能产生出色的噪声性能。当偏置电流为5 mA时，该器件的输入参考噪声为0.8 nV/√Hz，具有超低噪声性能和极高的输入阻抗（> 1 TΩ）。JFE150还集成了连接到独立钳位节点的二极管，无需添加高泄漏、非线性的外部二极管即可提供保护。JFE150能够承受40 V的高漏源电压，以及低至 - 40 V的栅源和栅漏电压。工作温度范围为 - 40°C至 + 125°C。该器件提供5引脚SOT - 23和SC70封装。
商品特性
- 超低噪声：
- 电压噪声：1 kHz时，ID = 5 mA，为0.8 nV/√Hz；1 kHz时，ID = 2 mA，为0.9 nV/√Hz。
- 电流噪声：1 kHz时为1.8 fA/√Hz。
- 低栅极电流：最大10 pA。
- 低输入电容：VDS = 5 V时为24 pF。
- 高栅漏和栅源击穿电压： - 40 V。
- 高跨导：68 mS。
- 封装形式：小型SC70和SOT - 23。
应用领域
- 麦克风输入
- 水听器和海洋设备
- DJ控制器、混音器和其他DJ设备
- 专业音频混音器或控制界面
- 吉他放大器和其他乐器放大器
- 状态监测传感器