IS64WV102416FBLL-10CTLA3

ISSI IS61/64WV102416FALL/BLL是高速16M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为1024K字×16位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，产生了高性能、低功耗的器件。当片选信号CS#为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时通过CMOS输入电平可降低功耗。通过使用片选使能和输出使能输入，可轻松实现内存扩展。低电平有效的写使能信号WE#控制存储器的读写操作。数据字节支持上字节（UB#）和下字节（LB#）访问。该器件采用JEDEC标准的48引脚薄型小外形封装（TSOP，类型I）、48引脚微型球栅阵列封装（BGA，6mm×8mm）和54引脚薄型小外形封装（TSOP，类型II）。

• 高速访问时间：8ns、10ns、20ns
• 高性能、低功耗CMOS工艺
• 多个中心电源和接地引脚，具有更强的抗噪能力
• TTL兼容的输入和输出
• 单电源供电
• 1.65V - 2.2V VDD（IS61WV102416FALL）
• 2.4V - 3.6V VDD（IS61/64WV102416FBLL）
• 可用封装：
  • 48球微型BGA（6mm×8mm）
  • 48引脚TSOP（类型I）
  • 54引脚TSOP（类型II）
• 支持工业和汽车温度范围
• 提供无铅版本
• 上下字节数据控制